![泰州优宾晶圆科技有限公司](http://img.czvv.com/logo/57981d1884ae0db3fefeacd9/57981d1884ae0db3fefeacd9.png)
泰州优宾晶圆科技有限公司 main business:生产3吋、4吋晶圆等半导体器件、半导体材料、光电半导体晶圆、光电二极管、发光二极管节能照明灯具;节能照明工程规划设计。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 321200400006425
- 913212007786993855
- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司(台港澳与境内合资)
- 2005年09月30日
- 何水太
- 500.000000
- 2005年09月30日 至 2055年09月29日
- 江苏省泰州工商行政管理局
- 2017年04月18日
- 江苏省姜堰经济开发区扬州路99号
- 生产3吋、4吋晶圆等半导体器件、半导体材料、光电半导体晶圆、光电二极管、发光二极管节能照明灯具;节能照明工程规划设计。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN105680705A | 一种汽车整流器 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种汽车整流器,涉及电子技术领域,包括蓄电池、超级电容器和过电压保护模块,所述蓄电池、超 |
2 | CN205542759U | 一种银面高压平面式MOS肖特基二极管 | 2016.08.31 | 本实用新型公开了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管,所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片 |
3 | CN205385019U | 一种高压硅堆 | 2016.07.13 | 本实用新型公开了一种高压硅堆,所述底座和引线的材料是无氧铜,因为铜稍硬、极坚韧、耐磨损,而且其延展性 |
4 | CN205542800U | 一种肖特基二极管 | 2016.08.31 | 本实用新型公开了一种肖特基二极管,涉及二极管领域,包括上接触层、下接触层和钝化层,所述上接触层包括半 |
5 | CN205542743U | 一种弯角恒流二极管 | 2016.08.31 | 本实用新型公开了一种弯角恒流二极管,包括合金电极、硅晶体、焊锡层、外壳、支架和弯角引线,焊锡层另一面 |
6 | CN205542797U | 一种GPP整流二极管 | 2016.08.31 | 本实用新型公开了一种GPP整流二极管,涉及二极管领域,包括p型半导体电极、n型半导体电极以及所述p型 |
7 | CN205542796U | 一种TVS二极管 | 2016.08.31 | 本实用新型公开了一种TVS二极管,涉及二极管封装技术领域,包括TVS二极管本体、锁扣榫,所述锁扣榫设 |
8 | CN205542801U | 一种沟槽式MOS肖特基二极管 | 2016.08.31 | 本实用新型公开了一种沟槽式MOS肖特基二极管,包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、 |
9 | CN205491314U | 一种灯泡电源一体化系统 | 2016.08.17 | 本实用新型公开了一种灯泡电源一体化系统,包括LED模块、电源模块、校正模块和保护模块,所述LED模块 |
10 | CN205453515U | 一种机车整流器 | 2016.08.10 | 本实用新型公开了一种机车整流器,包括整流器外壳、整流组、接插口和散热器,整流组共四个,位于整流器外壳 |
11 | CN205385015U | 一种开放性贴片二极管 | 2016.07.13 | 本实用新型公开了一种开放性贴片二极管,涉及二极管领域,包括晶粒、铜引线、跳线和环氧塑封体,所述铜引线 |
12 | CN105609570A | 一种肖特基二极管 | 2016.05.25 | 本发明公开了一种肖特基二极管,涉及二极管领域,包括上接触层、下接触层和钝化层,所述上接触层包括半导体 |
13 | CN105552040A | 一种弯角恒流二极管 | 2016.05.04 | 本发明公开了一种弯角恒流二极管,包括合金电极、硅晶体、焊锡层、外壳、支架和弯角引线,焊锡层另一面设置 |
14 | CN105552056A | 一种银面高压平面式MOS肖特基二极管 | 2016.05.04 | 本发明公开了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管,所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片、导 |
15 | CN105552111A | 一种硅整流二极管 | 2016.05.04 | 本发明公开了一种硅整流二极管,涉及二极管领域,包括晶粒、引线装置和环氧塑封体,所述引线装置包括上引线 |
16 | CN105529368A | 一种GPP整流二极管 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种GPP整流二极管,涉及二极管领域,包括p型半导体电极、n型半导体电极以及所述p型半导 |
17 | CN105514050A | 一种TVS二极管 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种TVS二极管,涉及二极管封装技术领域,包括TVS二极管本体、锁扣榫,所述锁扣榫设于T |
18 | CN105514178A | 一种沟槽式MOS肖特基二极管 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种沟槽式MOS肖特基二极管,包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底 |
19 | CN105514153A | 一种碳化硅半导体 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种碳化硅半导体,所述碳化硅半导体两侧设置有耐压层,可以进一步增加半导体的耐压性能,所述 |
20 | CN105514096A | 一种高压硅堆 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种高压硅堆,所述底座和引线的材料是无氧铜,因为铜稍硬、极坚韧、耐磨损,而且其延展性、导 |
21 | CN105514058A | 一种开放性贴片二极管 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种开放性贴片二极管,涉及二极管领域,包括晶粒、铜引线、跳线和环氧塑封体,所述铜引线包括 |
22 | CN105515403A | 一种机车整流器 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种机车整流器,所述管芯两端设置定位环,所述定位环位于瓷环内,可以对管芯进行保护,所述管 |
23 | CN105517260A | 一种灯泡电源一体化系统 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种灯泡电源一体化系统,所述灯泡电源一体化系统结构简洁、成本低廉,所述电压互感器为电容式 |
24 | CN105514177A | 一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管 | 2016.04.20 | 本发明提供了一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管,所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化 |
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